摘要：隨著摩爾定律趨于失效，3D封裝和大功率器件的普及，具有較強散熱能力的陶瓷基板、硅基板必將加速推廣，由此引發更多的異質材料互連問題。綜述了電子封裝領域常用金屬與金屬，陶瓷與金屬等異材互連研究進展，指出實現免熱沉陶瓷與金屬直接低溫封接迫在眉睫，焊料更多的添加貴金屬及稀有活性金屬、焊料尺寸從傳統塊狀或大尺寸顆粒向具有較強活性的納米線或納米顆粒轉變，封裝技術從傳統的回流焊、壓焊向飛秒激光、激光局部加熱等大功率密度、局部熱源及復合熱源方向轉變，封裝可靠性從傳統的熱老化、熱循環、熱沖擊向極端溫度、極端溫度梯度、快速溫度轉換、多場協同作用下的可靠性方向轉變。
關鍵詞：電子封裝;異種金屬;陶瓷與金屬;直接低溫封接
隨著現代電子行業的迅猛發展，電子元器件逐步由最開始的小規模、中規模向著大規模和超大規模方向發展，與之相伴的電子封裝行業也正蓬勃發展。為了適應半導體行業高速度、高密度、低成本、高效率的發展要求，傳統的金屬與金屬的互連已然無法滿足。為了適應新的封裝需求，即材料的密度小、導熱率高、強度高同時，價格要較為低廉，陶瓷材料的各項性能較為符合要求，因而近年來市場份額正在逐年加大[13]。
在電子封裝領域，常見的互連形式有一級封裝的芯片與基板的引線鍵合、倒裝焊，二級封裝的元器件與基板的回流焊和波峰焊等等;涉及到的互連母材主要有覆銅板(及其各類UBM)、鋁電極、Al和SiC各類陶瓷基板材料;用到的互連材料主要有金絲、銀絲、鋁絲及銅絲各類引線，焊料、焊膏、焊絲、助焊劑等各種軟釬焊材料，玻璃及各類活性釬料及其涂層[46]。本文主要綜述了金屬與金屬之間的互連、金屬與陶瓷之間的互連，簡要介紹了陶瓷和塑料、金屬與塑料、陶瓷和玻璃的封接。
1電子封裝異質材料連接研究進展
1.1異質金屬互連的研究
2018年全球IC封裝材料規模達到200億美元，其中鍵合絲占15%，約為30億美元。全球IC鍵合絲市場穩步增長，預計2022年將達40億美元[7]。目前鍵合絲產值占半導體封裝材料總產值的2125%，產量維持在20噸以上，以此估算2019年我國鍵合絲市場規模約為12.6億15億美元[8]。全球鍵合絲產品市場方面，金絲在全球鍵合絲的商場中的份額為36%，占比最大。
由于金價的上漲，以及5G技術對于高密度，大功率，高溫服役及高速鍵合等工藝性能的要求，傳統的金絲已經無法滿足，金絲在許多半導體應用中已被銀絲(銀合金絲、鍍層銀絲)、銅線(裸銅絲及鍍鈀銅絲)所取代，銅絲和銀絲的市場份額逐漸加大[911]。鍵合絲是一種具有優良導電性的金屬細絲，其作用是將內部芯片與外部管腳穩定、可靠的連接在一起[1213]。傳統的鍵合絲有金、銀及銅絲，但是單一元素的鍵合絲由于其自身物化性質的原因，都有著各自無法避免的缺陷，使得其自身的使用范圍受到一定的限制，無法適應當今高速度、高密度、高穩定性的鍵合要求[1415]。
金絲具有良好的熱電性能、適宜的弧度、良好的穩定性及成熟的工藝體系，美中不足的是其耐熱性較差、再結晶溫度較低(僅為150℃)、高溫性能較差(AuAl(紫斑)、AuAl(白斑)等缺陷)、價格昂貴等，難以適應高溫服役的要求。銅絲由于電阻率較低、強度較高、導熱導電較Au相比要高20%，且高溫性能較好(IMC生長速率較慢)，而得到推廣[1618]。
熱電性能、晶體結構、力學性能等方面比較發現，Zn、Ni、Fe、Mg、Be、Ag元素與Cu組成的合金導電性較為理想，Si、Zn、Mg、Be、Ag、Al元素與Cu組成的合金力學性能較為理想[19]。為解決單晶銅絲儲存時間短，容易被氧化等問題，采用20μm單晶銅絲為原料進行浸鍍，獲得高質量納米鈀鍍層的單晶銅絲，具有比使用電鍍技術獲得的鍍鈀銅絲更加光滑、質量較好的表面[20]。鍵合力和超聲功率需要保持在較小數值，以減少焊盤的應力和焊盤的磨損，改善工藝窗口，提高鍵合質量[21]。
研究發現，在較高的加熱溫度下，激光加熱對試樣剪切強度的影響并不顯著;當加熱溫度為40℃時，不同激光加熱功率的鍵合強度差異最大，即便是最低純度的銅絲在最高激光功率時整體的鍵合強度依舊較為理想[22]。雖然銅絲相對于金絲在價格及使用性能上有一定的技術優勢，但是銅絲存在不宜長時間儲存、硬度較大(鍵合時容易損傷焊盤)、工藝窗口較窄及容易氧化(需要在95%N+5%H保護鍵合)等問題。銀絲具有最高的導熱導電性能、與Au相近的弧度及強度、成本價格遠低于金絲，快速成為當今熱點的鍵合材料，其所占的市場份額也在逐年提升[2324]。
在純銀中加入0.05wt%的鑭元，制成AgLa合金鍵合絲，在325~425℃退火30分鐘后均為等軸晶組織;鑭元素的加入，合金鍵合絲的強度有所提升，同時降低了FAB的直徑;等軸晶組織會隨著電流持續時間的增加而變的粗大，其強度由于固溶強化不會發生太大的變化[25]。在+5%H的保護氣氛中，17.5μmAg8Au3Pd合金鍵合絲與Al焊盤超聲熱壓鍵合，150℃持續20秒后合金鍵合絲與鋁焊盤之間有兩個明顯AuAl+(Au,Ag)Al層和AgAl層;AgAl起到了阻擋層的作用，使得Au原子向Al中的擴散速度大大減慢，減慢了AuAlIMC層的生長速度，提高了材料的使用性能[26]。Ag1Au、Ag3Au、Ag5Au種合金鍵合絲的熔點、球拉力、球剪切力、頸部斷裂的比例及可靠性(冷熱沖擊)等均隨著Au含量的提高顯著提高，含5%Au的合金鍵合絲的FAB形貌最為理想[27]。
直徑為1.5mm金包銀鍵合絲在500℃進行0.5的熱處理，而后繼續拉拔至20μm的直徑，并在500℃下進行50m/min的連續退火處理獲得彌散分布的細小等軸晶[28]。55℃下采用非氰化金電鍍液以1Adm的電流密度在直徑為25μm的純銀(2N純度線表面電鍍獲得88nm厚的金包銀鍵合絲，鍵合絲中金含量大概為2.5wt%;550℃退火后其組織均勻，力學性能穩定，比純銀鍵合絲更加優良的耐蝕性及抗氧化性[29]。
采用二甲基亞砜溶液中加入10g/LAu(PPh)Cl和15g/LNHCl制得無氰電鍍液，在60℃下以0.25A/dm的電流密度電鍍0.51.0小時獲得金鍍層耐蝕性好，鍍層結合力強，鍍層微觀組織細致;該電鍍工藝無毒無害，鍍液經濟環保，鍍層物化性質穩定，具有極高的發展前景[30]。某科技研發公司[3132]研制了清潔型鍍金新材料丙爾金(一水合檸檬酸一鉀二丙二腈合金Ⅰ)]，其分子式為：KAuC111，簡稱丙爾金)，不僅可以提高合格率(約提升15%左右)，還可以降低生產成本(原料成本及廢水處理成本)，最重要的是丙爾金材料是無毒的，符合可持續發展的要求。
研究人員采用線徑25μm的Ag10Au3.6Pd合金絲鍵合，隨著電流不斷增大，在EFO時間不變的情況下Ag10Au3.6Pd合金鍵合絲的FAB由尖狀轉變為橢圓形，再趨于為完美形狀，最后轉變為高爾夫球形狀;當EFO的電流保持不變時，隨著時間的延長FAB球由最開始的小球，逐漸變大并趨于完美的球狀，最終變成高爾夫球狀，且在電流為0.030A時，EFO時間為0.8ms的FAB的幾何形狀最為理想;當鍵合功率為70mW，鍵合力為0.60N時，球形鍵合強度符合鍵合要求;當鍵合功率為95mW，鍵合力為0.85N時，楔形鍵合強度達到理想水平[33]。
隨著燒球電流及時間的增大，FAB球的直徑也正在逐步增大，當使用18mA~1.0ms的鍵合工藝時，所得到的球出現了粗大的晶粒并在頸部靠近球的位置出現明顯的裂紋，23mA0.6ms時的綜合力學性能最好，故采用高電流短時間的鍵合工藝更容易獲得較高的鍵合質量，如圖[34]。研究表明，In、Sn、Sb、Bi元素與Ag組成二元合金時會減弱合金的表面張力，Au、Cu、Pd、Ni、元素與Ag組成二元合金時則會提升合金的表面張力，當Ce元素含量較高時合金的表面張力降低，含量較少時合金的表面張力升高[35]。
Au、Pt、Pd等會與Ag基體形成固溶體，使晶界的電壓下降，從而抑制了電化學腐蝕的速度，提高合金鍵合絲的耐蝕性;而Rh、Cu、In、Ce等元素可以抑制銀鍵合絲與鋁焊盤之間形成的IMC，還可以細化晶粒提高鍵合絲的力學性能，提高合金絲的可靠性;Al、Ti元素則可以在鍵合絲表面形成致密的氧化膜，提高合金鍵合絲的抗氧化性能及耐蝕性能;Si、Zn、Sn、Be降低了Ag基體中的氧含量，使得鍵合絲的力學性能獲得一定的提升;所加元素占比例較少，既能提高鍵合絲的可靠性，又能控制生產成本[36]。
對Ag5Pd3.5Au，Ag3Pd8Au和Ag3Pd20Au三元合金鍵合絲進行可靠性測試發現Ag3Pd20Au可靠性最佳，綜合使用性能最好，適合作為LED的鍵合材料[37]。PCT測試發現，Ag絲在96h內保持的極佳的穩定性，隨著測試時間的延長其鍵合能力在不斷的下降;隨著Pd元素含量的提升減緩了鍵合能力的下降，但低電位的Pd元素會在Ag表面形成PbO作為阻擋層，減弱Ag絲與Al焊盤界面處的腐蝕速率[38]。
不同Pd含量的合金絲的鍵合試樣進行HTST和PCT測試發現，鍵合絲與鋁焊盤之間會形成(AgPd)Al、(AgPd)Al及(AgPd)Al三種IMC，Pd含量較低時形成的是(AgPd)Al，含量較高時形成的是(AgPd)Al;Pd含量低于3.5%時，抑制AgPd/Al界面IMC的形成，Pd含量超過3.5%時促進AgPd/Al界面IMC的形成，含量在3.5%左右時合金絲的可靠性最好[39]。
現如今單一元素的純金屬鍵合絲已然無法滿足電子封裝的要求，因此合金鍵合絲和鍍層鍵合絲的研發與應用已是必然趨勢。基于生產成本、鍵合質量、鍵合效率等因素的綜合考慮，銀鍵合絲因擁有良好的熱電性能、良好的塑韌性，可以很好的適應高功率、高密度的高速鍵合要求而廣受研究者們的關注;對于鍍層鍵合絲而言，鍍層的元素顯得尤為重要，既要與基體的結合力強，又不能與焊盤產生有害的IMC，同時鍍液還要避免產生有毒有害的物質，綜合這些技術要求，Au及Pd元素成為研究者們的研究重點;對于鍵合工藝而言，超聲熱壓鍵合綜合了熱壓鍵合與超聲鍵合的優勢，可以在高速鍵合時保證鍵合質量，同時大大降低鍵合溫度，并在一定程度上提高鍵合質量，因而深受廣大技術人員的青睞。
金屬與陶瓷異材互連的研究隨著元器件封裝逐步向著大功率、高集成、微型化、輕量化方向發展，可靠性及散熱效率逐步成為研究重點。為了保證高溫下的可靠性，對于封裝材料的線膨脹系數及高溫穩定性都提出了新的要求，此外還具有高致密度、高硬度、高強度、抗氧化性、耐蝕性、電絕緣性及介電系數較小等特點。陶瓷材料由于其獨特的物化性能成為研究者們關注的重點。當使用陶瓷材料作為母材時，其與金屬材料的互連問題不可避免的。
針對于此，國內外學者對氧化鋁陶瓷金屬、氧化鋯陶瓷金屬及碳化硅陶瓷金屬互連展開了一系列研究 。Al陶瓷價格較為低廉，與金屬的附著力較好，耐熱沖擊性和電絕緣性較好，且由于其生產工藝較為成熟，所以應用較為廣泛，在陶瓷基片市場中約占90%的份額[4。AgCu3.5Ti合金對氧化鋁和金剛石薄膜(金剛石銅復合材料)具有良好的潤濕性，在兩種基體上的平衡接觸角均小于5°，與氧化鋁和金剛石顆粒發生反應形成TiC和Ti(Cu,Al)，接頭的最大剪切強度為117MPa。AgCuTi釬料填充藍寶石可伐合金焊縫于850℃保溫10min后爐冷，接頭在772周期的冷熱沖擊(液氮溫度60℃)后藍寶石界面處未出現裂紋等明顯缺陷，在105℃保溫180天后依舊保持良好的氣密性[4。
Sn0.3Ag0.7Cu4%Ti釬料涂覆在Al陶瓷表面，在900℃下真空爐中保溫30min進行金屬化，再與Cu在600℃下保溫5min，從銅側到陶瓷側的組織依次為CuSn(Ⅰ區、CuSnⅡ區、Sn(s，s)+TiSnⅢ區50。采用CuSnTiNi活性粉末釬料，920℃下保溫10min實現Al陶瓷與可伐合金的互連，接頭的最大剪切強度達102.86MPa，陶瓷側生成CuTiO和AlTi相，焊料層則主要由Cu(s,s)、NiTi及TiFe相組成[5。在870℃，保溫5min的工藝條件下，使用低活性釬料AgCuSnInTiNi實現95%Al陶瓷與可伐合金4J33的互連，其接頭強度可達107MPa;隨著Ti含量的增加，釬料的流動性得到增強，鋪展性變好，釬著率提高，IMC增多;焊縫中主要存在Ag、Cu、CuTi及AgTi化合物，合金側界面會產生FeTi和Ni化合物，陶瓷側界面則會產生TiCu、TiO、TiAl反應層[5。
采用AgCu28共晶釬料和可伐合金片組成的釬料體系對Al陶瓷(先將其表面金屬化而后再在其上鍍Ni)和CPC復合材料(Cu/70%Mo+30%Cu/Cu結構)進行互連，可伐合金層的加入減小了殘余應力，使CPC母材的變形量有所降低(約減少50%左右)，合金中間層的兩側出現銅鎳固溶體層，陶瓷側界面的銅基固溶體變少[5。Al陶瓷表面Ti+Nb/Mo金屬化后，使用AgCu28釬料將其與Kovar合金在840℃保溫10min，釬料中的銅元素通過擴散進入到可伐合金之中，與此同時可伐合金中的鎳元素也通過擴散作用進入到釬料中的富銅區;陶瓷側界面的鈮元素具有抑制脆性化合物的形成，減緩部分殘余應力;氧化鋁陶瓷表面鍍鎳后，焊縫變得較寬且銀銅共晶區較為明顯，強度也有所提高[5。
采用AlSi絲狀釬料，600℃高頻感應釬焊Al陶瓷與5005鋁合金，陶瓷側組織為呈彌散分布的AlSi過共晶組織，5005鋁合金側則為滲入了αAl晶粒間的AlCuAg低熔共晶組織組成，接頭的最大剪切強度為52MPa(620℃時)。采用MoMn法工藝在Al陶瓷形成鉬層純Ni層，在1164℃真空下7.5MPa施壓30min完成與Ni片互連，接頭組織致密均勻，沒有焊接缺陷，最大剪切強度為106.5MPa[5。Al陶瓷與可伐合金互連所使用的部分釬料及各釬料所對應的工藝參數。
氧化鋯陶瓷具有密度低、強度高、硬度大、膨脹系數較小以及耐磨性好、耐蝕性好、隔熱能力強、化學穩定性好等優良特性，一般用于制作電子管、光纖連接插頭、計算機驅動組件、密封件、氧傳感器、WHD電極等構件[5。在850℃，保溫5min的條件下采用BAg72Cu釬料實現Pt基金屬化的氧化鋯(YSZ)陶瓷與Kovar合金的互連，接頭沒有缺陷和裂紋，剪切強度為75MPa;合金界面處主要為富Cu相，焊縫處主要為AgCu共晶組織，金屬化層與釬料界面處為富Ag相，金屬化層為富Pt相及PtCuAg[5。
在1040℃，采用Au95CuPt合金釬料保溫20min實現PtMn金屬化的釔摻雜氧化鋯陶瓷(5YSZ)與Kovar4J28合金的互連，接頭的剪切強度可達85MPa，密封器件在壓力差為60kPa保壓1.0min時，依舊擁有良好的氣密性[5。在真空條件下，將Ni/ZrO放置在真空爐中的石墨電極上，保持爐內壓力約5×10−Pa，以20K/min的速度加熱至1373K，并保溫5min實現了摻釔ZrO和Ni快速連接60。
采用SAC305釬料，于真空爐內使石墨電極上極與ZrO陶瓷接觸，下極與金屬Ni接觸，待真空爐加熱至反應溫度后通電，反應結束后隨爐冷卻至室溫即得到ZrO陶瓷/SAC305/Ni接頭[6。將ZrO陶瓷或是ZrO復合陶瓷的成坯滲碳發黑處理，在真空加熱爐中將Ni基合金發黑處理的ZrO陶瓷(ZrO復合陶瓷)以10℃/min的加熱速度升溫至920950℃，保溫15min實現與Ni基合金的互連[6。
1073K時，采用10mA電流通電10min可實現Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/ZrO陶瓷的互連，973K時采用10mA電流30min后以5K/min的速度冷卻，形成Ni/Sn49.9Ag19.6Cu/ZrO接頭，兩種接頭的剪切強度分別為43±4MPa，147±9MPa;SnAgCu/ZrO的反應界面為ZrSn相，Sn49.9Ag19.6Cu/ZrO界面則為ZrSnCu相[6。
在大氣環境中，350℃下采用Sn4Al0.7Cu活性釬料和超聲將ZrO陶瓷分別與Al、Cu及Ni金屬進行連接，在ZrO/Sn及Al/Sn界面處出現非晶狀態的Al相(厚度分別為8nm，12nm);母材為金屬Al時，Al/Sn界面析出了αA1;當母材為金屬Cu時，金屬側析出了CuSn相(2μm厚)及呈彌散分布的CuSn相(10μm);當母材為金屬Ni時，金屬側析出了呈彌散分布的NiSn(2μm)[6。Cu、Ti、Ag及In粉末按一定比例混合經熔煉后制成合金粉末，加入有機溶劑及純水后混合制得銀基合金焊膏，750℃保溫15min成功實現ZrO陶瓷與Cu板等之間的互連[6。
SiC陶瓷擁有良好的導熱率(約為Al的13倍)，且熱膨脹系數較低，電絕緣性較好，但介電系數較高、抗壓性較差，限制了其在高密度封裝中的應用，主要應用于集成電路、激光二極管、及導電性結構件[6。采用Ti32Ni焊料和瞬時液相擴散焊，1050℃保溫l0min時ZrCSiC復合陶瓷與Nb金屬接頭剪切強度高達141MPa，添加100μm的Mo后ZrCSiC/TiNi/Mo/TiNi/Nb接頭剪切強度提高至166MPa(增幅達18%)[6。將納米厚度的鈦箔與鋁箔依次疊加形成金屬帶作為中間焊料層，真空擴散焊或熱壓燒結(真空氬氣)的方式就能將碳化硅陶瓷(碳化硅復合陶瓷)與鈮合金、鉬合金、鈦鋁合金及鈦鋁鈮系合金在高溫高壓下進行互連，所得接頭的力學性能良好，組織均勻致密[6。
在Ag27.3Cu2.5Ti釬焊FeNi42/SiC接頭中，溶解的Fe和Ni元素優先與SiC基體反應，SiC基體隨釬焊溫度的升高而溶解，形成FeNiSi化合物和石墨，接頭的力學性能減弱;在Ag27.3Cu4.5Ti釬焊FeNi42/SiC接頭中，溫度的升高，與SiC陶瓷反應的元素由Ti轉變為Fe和Ni，形成了FeNiTi化合物，如圖11[6。采用高熔點雙金屬(Fe層及Ni層)和雙激光束部分瞬間液相法實現陶瓷(SiC、Si等)與金屬的互連，局部加熱不會改變材料的結構和狀態，接頭具有一定的耐高溫性能，高溫服役過程中不易失效70。采用激光在鎳基合金表面熔覆SiC粉末，熱處理后采用常規釬焊將鎳基金屬與碳化硅陶瓷進行互連，所得接頭的成分均勻、力學性能優異、殘余應力較小[7。
采用放電等離子技術連接形成碳化硅陶瓷/Si中間層金屬鎢的結構，界面處出現WCX及Si，含量30%W、50%W及70%W的中間層均可以實現有效的連接，1400℃時接頭的連接強度最高[7。減小SiC陶瓷自身的孔徑，有利于減緩高溫Al液對于SiC陶瓷的腐蝕速率，SiC陶瓷的臨界孔徑則取決于Al液的表面張力、潤濕角及外界施加的壓力，而潤濕角的大小則是由Al液的溫度及成分控制[7。
綜上所述針對氧化鋁陶瓷金屬、氧化鋯陶瓷金屬及碳化硅陶瓷金屬的互連除傳統的活性釬焊技術外，研究者們又開發了電化學驅動連接、超聲攪拌釬焊、真空擴散焊、瞬時液相擴散等技術用于陶瓷與金屬的互連，這些技術都是在活性釬焊的基礎上為了適應新的需求而開發出來的，既提高了生產效率又保證了焊接質量。基于陶瓷的高熔點、高硬度，金屬與陶瓷的封接必然存在高的焊接溫度和高的焊接殘余應力等問題，如何降低焊接溫度和提高封裝可靠性是陶瓷與金屬封接的關鍵問題。
2展望
隨著電子元器件逐步向小型化、精密化、高速化、高可靠性方向發展，以及大功率電子元器件的使用量逐步加大，快速散熱及極端溫度下可靠性已成為封裝的關鍵問題。單一材料很難滿足新的應用需求，這就要求發揮各自材料的性能優勢、盡可能的規避自身不足、最大程度上的控制成本節約材料，在保證互連質量的前提下做到物盡其用，異材的使用比重逐漸增加。然而，異材就意味著不同的物化性質、不同的組織結構及不同的使用條件，研究者要綜合各項條件，使用合理的互連技術、設定適宜的工藝參數、選用合適的中間層材料(焊料)。
有較強散熱能力的SiC、Al、ZrO等陶瓷基板、硅基板必將得到進一步推廣。基于封裝高度和工藝成本的考慮，基板免熱沉將成為必然要求，特別是5G對電子器件提出―低溫連接、高溫服役‖新要求的今天，將免熱沉陶瓷與免熱沉陶瓷，免熱沉陶瓷和金屬實現直接低溫互連將成為主流研究方向。目前，電子封裝互連存在如下問題：
①封裝材料難以滿足新的封裝需要(高導熱、高導電、高性價比、高可靠性、良好力學性能等)。目前單一封裝材料的性能已被開發到極致，很難再得到質的提升。特別是對于難焊異材來說，封裝材料開發顯得尤為重要。為了最大限度的發揮材料自身的性能更多的選用貴金屬及稀有活性金屬，將其適量的摻雜到基體焊料或鍍層之中以提高整體的互連質量。②焊接溫度過高，封裝變形和應力加劇。較高的互連溫度對于異材互連的質量會產生一定的影響(如較高的殘余應力)，為了降低焊接溫度，焊料逐步從傳統塊狀或大尺寸顆粒向具有較強活性的納米線或納米顆粒轉變。
電子信息論文： 數字信號處理技術在電子信息工程中的應用研究
③傳統封裝整體加熱無法回避對封裝體的熱影響。封裝體變薄變小,功率密度增大,封裝時的熱影響加劇。為了降低封裝的熱影響和提高熱效率，封裝從傳統的回流焊、壓焊向飛秒激光、激光局部加熱等大功率密度、局部熱源及復合熱源方向轉變。④封裝體服役環境日趨惡劣，傳統的測試手段和設備無法滿足新的可靠性要求。為了適應新的服役環境、提高封裝可靠性，封裝測試從傳統的熱老化、熱循環、熱沖擊向極端溫度、極端溫度梯度、快速溫度轉變、熱電水氣振動等多場協同作用下的可靠性方向轉變。
參考文獻
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作者：甘貴生江兆琪陳仕琦許乾柱劉聰黃天唐羽豐楊棟華許惠斌徐向濤
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